磁控芬顿弹性体抛光垫

MRR提升144%

用磁场激发芬顿反应来抛光单晶SiC的弹性体垫，把磁控与化学氧化协同起来提升去除率，为超精密抛光提供了新工具。

Hu, Da · Kexin, Liu · Enchi, Xue · 陈良骥 · 路家斌

Journal of Environmental Chemical Engineering 2026

参数信息

材料去除率提升（协同）

144.4 %

材料去除率提升（仅磁场）

72.6 %

材料去除率提升（仅芬顿）

103.5 %

C面材料去除率

8.112 μm/h

Si面材料去除率

1.760 μm/h

技术优势

去除率提升144.4%

磁场与芬顿反应协同作用，比单一磁场（72.6%）或单一芬顿反应（103.5%）的增强效果更显著。

达到亚纳米粗糙度

优化参数下，C面抛光后表面粗糙度Ra可达0.251 nm，满足超精密表面要求。

应用场景

• 超精密抛光：磁控芬顿协同将SiC抛光推进到亚纳米粗糙度层次，替代传统低效的超精密抛光工艺。
• SiC晶圆加工：提供高去除率与低损伤的晶圆表面加工方案，适用于SiC衬底的高效制备。
• 先进陶瓷加工：针对高硬度陶瓷难加工问题，利用磁场辅助化学氧化实现高效精密加工。