Co2MnGaGe外延薄膜

超低阻尼长自旋波

通过能带工程调控费米能级进入少数自旋赝隙，在Weyl铁磁体薄膜中同时实现超低吉尔伯特阻尼和超过100微米的自旋波衰减长度。

王金龙 · Zhang, Yao · Song, He · Meng, Xiangrui · Xu, Ziyue · Yin, Yuefeng · 杨天宇 · 李鹏 · 高鹏 · Medhekar, Nikhil V. · 俞大鹏 · Granville, Simon · 于海明

Advanced Materials 2025

参数信息

吉尔伯特阻尼

1.5e-3

自旋波衰减长度

100 µm

技术优势

阻尼降一个量级

通过将费米能级调进少数自旋赝隙，抑制了态密度相关的散射通道，吉尔伯特阻尼低至约1.5 × 10⁻³。

传播超过100微米

低阻尼使自旋波衰减长度超过100 µm，远长于传统金属薄膜，适合片上互联。

平台兼容外延生长

样品为外延薄膜，可直接与现有电子器件集成。

应用场景

• 自旋波器件：提供长距离自旋波传输介质，减少器件损耗。
• 磁振子学：低阻尼材料支撑磁振子逻辑和信号处理。
• 低功耗自旋电子学：超低阻尼降低自旋波激发功耗。
• 磁存储：长传播长度支持磁存储中的自旋波互联。