生长温度低100°C
采用硫化硼化学气相沉积法，使氮化硼纳米管在更低温度下高效生长，生长速率显著提升。
王颖 · 张凯 · Ding, Liping · He, Qian · Wang, Nanyang · Wentao, Zheng · Xin, Chen · Ding Feng · 姚亚刚
Materials Today 2025
BSCVD 利用 Me–B–S 体系低熔点、高蒸发率及高氨反应活性，生长温度比 BOCVD 低约 100°C。
催化剂液滴成核时间仅为 BOCVD 的 25%~40%，加快反应进程。
生长速率是 BOCVD 的 1.4~1.7 倍，单位时间产出更多。
添加 S 粉提高成核概率，生长温度再降 100°C，最低至 800°C。