耐蚀刻近三倍迁移率
通过双重有源层结构使沟道在铝蚀刻液中无损图案化，同时保持高迁移率和低漏电。
Peng, Cong · Chen, Wang · 陈龙龙 · 李喜峰 · 张建华
Applied Surface Science 2025
双有源层结构显著提高了背沟道的刻蚀耐受性，因此Mo/Al/Mo源漏电极可以采用传统铝蚀刻剂一步刻蚀，无需额外的保护层或分步刻蚀。
双有源层TFT的有效迁移率比单有源层TFT高近三倍，说明该结构在提升刻蚀耐受性的同时，还能改善载流子输运性能。
关态电流比单有源层TFT低近四个数量级，达到约10−14 A，有利于降低功耗和改善开关比。