TiZrV非蒸散吸气薄膜

低活化温度高吸气

系统研究了TiZrV/TiZrHfV非蒸散吸气薄膜的活化行为，揭示了活化温度、时间与可达到活化程度之间的关系。

Qingzhi, Shi · Wang, Sihui · Ma, Yongsheng · Shiyuan, Shi · Tao, Huang · Fei, Sun · Wang, Pengcheng · Lu, Meitong · 赵晓光 · Wang, Lixin · 陈叔平

Journal of Alloys and Compounds 2024

参数信息

完全活化温度

150 °C

氧迁移异步温度阈值

200 °C

技术优势

明确活化下限

证明了在约150°C下无论时间多长都无法完全活化，避免无效延长工艺时间。

揭示活化机制

发现氧原子迁移在低于约200°C时不同步，导致活化程度呈阶梯特性，为工艺窗口选择提供依据。

应用场景

• 超高真空系统：集成吸气薄膜维持真空，避免高温活化损伤腔体。
• 粒子加速器：用于长距离束线管内壁，连续吸收残余气体。
• 空间科学载荷：在轨维持探测器真空，无需卫星平台提供高温电源。
• 电子束设备：保护电子枪和样品室真空，减少碳污染。