激光改性SiC磨粒干涉

塑性区扩大十倍

激光改性后单晶碳化硅的磨粒干涉有效间距从4微米扩展到8微米，脆性去除转为塑性变形，揭示了激光辅助磨削高效低损伤的机制。

秦飞

Precision Engineering 2026

参数信息

激光改性使塑性区半径从

2 μm

磨粒干涉在间距

4 μm

技术优势

激光烧蚀生成硅碳氧化物熔融层，显著降低弹性模量、硬度和拉伸强度

材料去除所需最大主应力降低