暗电流降50%
采用热旋涂与退火结合策略,显著降低薄膜缺陷密度并改善界面接触,同时提升探测性能和长期稳定性。
Lei, Rao · Shuo, Cheng · Chen, Qian · Ma, Jingrui · Hao, Junjie · 孙小卫 · 陈巍 · Cun-Zheng, Ning · Tang, Haodong
Advanced Science 2026
热旋涂优化了量子点堆积和界面接触,降低缺陷密度,暗电流密度降低超过50%。
未封装的器件长期储存后仍保持低暗电流和高外量子效率,说明薄膜本身稳定性显著改善。