热旋涂PbS量子点光电探测器

暗电流降50%

采用热旋涂与退火结合策略,显著降低薄膜缺陷密度并改善界面接触,同时提升探测性能和长期稳定性。

Lei, Rao · Shuo, Cheng · Chen, Qian · Ma, Jingrui · Hao, Junjie · 孙小卫 · 陈巍 · Cun-Zheng, Ning · Tang, Haodong

Advanced Science 2026

具体参数

暗电流密度降幅
{'zh': '50', 'en': '50'} %
响应度
{'zh': '0.765', 'en': '0.765'} A/W
−3 dB带宽
{'zh': '108', 'en': '108'} kHz

技术优势

暗电流减半

热旋涂优化了量子点堆积和界面接触,降低缺陷密度,暗电流密度降低超过50%。

不用封装也稳定

未封装的器件长期储存后仍保持低暗电流和高外量子效率,说明薄膜本身稳定性显著改善。

应用场景