导通损耗更低
将低导通损耗的IGCT与高开关速度的IGBT并联，在保持成本竞争力的同时降低子模块的整体功率损耗。
Chen, Lvyang · 张翔宇 · Yan, Shi · 齐磊
IEEE Transactions on Industrial Electronics 2023
利用IGCT的低导通压降特性，与IGBT并联后，电流优先流经IGCT，从而降低整体导通损耗。
并联的IGBT提供高di/dt能力，在开关瞬态分担电流，保护IGCT，省去了传统IGCT子模块必需的缓冲电路及其损耗。
综合导通损耗和开关损耗，混合器件子模块的MMC功率损耗低于纯IGBT和纯IGCT方案，提高了系统效率。
相比纯IGBT方案，混合器件子模块因使用成本较低的IGCT而降低了器件总成本，同时保持相近的性能。