激光退火Ni/SiC欧姆接触

确定最优工艺窗口

该研究给出了激光能量密度与扫描速度的精确参数范围,以获得稳定高效的欧姆接触,这对提升SiC器件性能至关重要。

Liang, Zhang · Tao, Huang · 鲁森 · 杨开明 · Jing, Chen · Jiong, Zhou

Materials Science in Semiconductor Processing 2024

技术优势

明确最优参数窗口

通过模拟与实验对照,给出了获得稳定高效欧姆接触所需的能量密度和扫描速度的适宜范围,减少了试错成本。

揭示了参数-温度关系

分析了能量密度和扫描速度对Ni/SiC接触系统温度的影响,为工艺优化提供理论依据。

应用场景