揭示微观机理
通过第一性原理计算阐明Si-Cl-C-H在3C-SiC表面的吸附和反应路径，为CVD制备提供理论依据。
Yin, Bowen · Bai, Longteng · Xiaohui, Yang · Jin, Zhou · Wang, Lu · 刘建涛 · Feng, Zhiqiang · Zhang, Xianghua · 曾庆丰 · 关康
Physica Scripta 2023
计算得到了不同吸附位点的结构参数、吸附能、电荷布居、过渡态和电子态密度，从而确定了最可能的反应路径。
计算结果为3C-SiC的CVD制备提供了理论和实验基础，可用于指导工艺优化。