多芯片压包IGBT

500K次循环饱和电压仅增13.6%

针对功率循环老化后的失效机制，揭示了饱和电压增量主要源于栅氧化层损伤，而非接触电阻退化。

Zhan, Cao · 祝令瑜 · Zhang, Yaxin · 汲胜昌 · Iannuzzo, Francesco · Blaabjerg, Frede

IEEE Transactions on Industrial Electronics 2024

具体参数

次功率循环后饱和电压最大增量

13.6 %

平均粗糙度从

0.1 μm

技术优势

栅极泄漏电流从纳安级增加到毫安级