氧缺陷MgMn2O4正极

高容量长循环

氧缺陷工程使该正极具有更宽的晶面间距和更低的离子扩散势垒，能加快镁离子存储动力学并稳定晶体框架。

Yingjie, Zhao · Meng, Leichao · An, Lingyun · Cui, Shuzhen · Qianghong, Wu · Cui, Yongfu · Ma, Tianyi · Hang, Xu · 张思文

Composites Part B: Engineering 2026

具体参数

氧缺陷使晶面间距从0.22 nm增至0.36 nm，给水合Mg2+腾出通道，减小体积变化、缓解机械应力。

DFT计算显示扩散势垒从0.97 eV降到0.38 eV，插层的能量代价大幅下降。

缺陷在费米能级附近引入电子态，提高电子导电和电荷转移效率。

缺陷引起的电荷重新分布产生吸附能−0.44 eV的有利位点，让Mg2+更容易插入。