100–350 GHz低插损
首款片上MEMS SP4T开关，在100–350 GHz宽频带内保持低插入损耗与良好匹配。
Guangyao, Yang · 张乃柏 · Zilai, Wang · Deng, Kun · 刘宁 · Song, Ruiliang
2023
采用特殊的双触点混合固支梁设计，在100–350 GHz整个频段最差插入损耗仅为1.8 dB。
尽管受过渡焊盘影响，四个开关状态下输入端口回波损耗在100–350 GHz内均高于15 dB。
这是已知首个工作于太赫兹波段的片上MEMS SP4T开关，填补了该频段多掷开关的空白。