超低硅掺杂多孔Si@MoC负极

250圈后容量近千

多孔碳化钼基体均匀分散超低含量硅,兼顾高容量与循环稳定性。

Chen, Zhuo · Xing, Lu · 张亚楠 · Yifan, Kang · Jin, Xilang · Zhang, Xingxing · Yali, Li · 王红 · 黄文欢

Advanced Functional Materials 2024

参数信息

硅掺杂量
4.2 wt%
循环后容量
976.6 mAh g⁻¹

技术优势

硅量极少不膨胀

硅掺杂量只有 4.2 wt%,均匀分散在多孔 MoC 基体里,充放电时体积变化被基体吸收,循环 250 次后仍有 976.6 mAh g⁻¹ 的容量。

容量保持率极高

在 0.2 A g⁻¹ 下循环 250 次后仍可提供 976.6 mAh g⁻¹,得益于多孔结构增强的锂离子传输动力学和减小的硅体积膨胀。

电子导电性优异

DFT 计算表明 p-Si@MoC 具有出色的电子导电性,有利于高倍率下的容量发挥。

应用场景