ZnPS₃纳米片

通过揭示声子散射和缺陷复合对载流子输运的协同影响，为优化其光电和光声器件性能提供关键指导

Han, Tao · Jiayu, Tan · 黄媛媛 · Wu, Yue · 卢春辉 · Guorong, Xu · Qixiang, Yin · 赵奇一 · 周译玄 · 徐新龙

Nano Letters 2026

具体参数

载流子迁移率
{'zh': '41.5', 'en': '41.5'} cm²/(V·s)
相干声学声子频率
{'zh': '17.58', 'en': '17.58'} GHz

技术优势

声子频率高

可产生 17.58 GHz 的相干声学声子，适合高频光声器件。

缺陷复合机制明确

确认纳秒尺度的 Shockley-Read-Hall 复合是限制载流子寿命的关键因素，而非表面复合。

揭示性能受限根源

迁移率受限的根本原因归结为强电声耦合与缺陷散射的协同效应，为材料优化指明方向。

应用场景