双层NiOx空穴注入层

效率寿命双提升

用全无机p型NiOx双层替代PEDOT:PSS，同时降低空穴注入势垒并促进载流子平衡，让InP量子点发光二极管更亮更稳。

Li, Qiuyan · 曹盛 · 于鹏 · Ning, Meijing · Xing, Ke · Zhentao, Du · Zou Bingsuo · 赵家龙

Photonics Research 2022

具体参数

外量子效率

{'zh': '11.2', 'en': '11.2'} %

T95寿命

{'zh': '7', 'en': '7'}

技术优势

效率直接提升

双层空穴注入层降低ITO/空穴传输层界面的势垒差，使载流子注入更平衡，EQE从7.6%增至11.2%。

高亮下更耐用

在1000 cd m⁻²高亮度下，T95寿命延长约7倍，适合高亮显示场景。

全无机更稳定

用p型NiOx纳米晶替代有机PEDOT:PSS，避免酸性吸湿问题，器件运行更可靠。

应用场景

• InP量子点发光二极管：直接用作InP QLED的空穴注入层，提升器件效率与寿命。
• 柔性显示器件：全溶液法制备，兼容柔性基底，用于可弯折显示面板。
• Micro-LED显示：高亮度下寿命大幅延长，满足Micro-LED高亮工作需求。
• 量子点电致发光：优化载流子注入平衡，提升量子点电致发光器件的辐射复合效率。