自举双NMOS缓冲级

50MHz重频1.4ns脉宽

电荷转移自举提升 GaN 驱动器的驱动能力与传输速度,适合高速 DToF LiDAR 光源调制。

Qin, Yao · 明鑫 · Lin, Zhiyi · Zhuang, Chunwang · Gong, Xince · 周琦 · Peng, Luo · 张波

2024

参数信息

脉冲重复频率
50 MHz
导通时间
1.4 ns
上升时间
323 ps
下降时间
333 ps
开启延迟
2.41 ns
关断延迟
2.56 ns

技术优势

驱动能力更强

电荷转移自举电路对栅极电压进行抬升,使得输出级在开关瞬间能够提供更强的充放电电流,从而驱动更大的 GaN 功率管,缩短开关时间。

传输速度更快

电路实测在 50 MHz 重频下输出 1.4 ns 脉宽,上升/下降时间仅 323 ps/333 ps,能满足高速 DToF LiDAR 对窄脉冲调制的需求。

省去高耐压LDMOS电平移位器

采用 LDMOS-less 高压电平移位器设计,消除了 LDMOS 带来的寄生电容和速度限制,进一步提高缓冲级的工作速度。

应用场景