碳化硅材料去除率 700 nm/h
一种含Fe、Al2O3和氧化石墨烯的新型浆料，利用氧化石墨烯促进Fe分散并产生充足羟基自由基氧化SiC表面，从而实现高效平坦化。
Shidong, Chen · 雷红
Tribology International 2024
浆料产生的羟基自由基足以氧化SiC表面，实现700 nm/h的材料去除率。
抛光后SiC表面平均粗糙度降至0.6175 nm，适用于超精密表面加工。
氧化石墨烯的加入显著提高了Fe在浆料中的分散性，有利于抛光均匀性。