多孔GaP/g-C₃N₄光阳极

光电制氢更稳定

直接Z型构型抑制GaP光腐蚀，使光阳极在高光电化学制氢条件下保持稳定。

Yuan, Hao · 郑茂俊 · Ying, Yang · Jiaheng, Gao · Chen, Hao · Fan, Yunlong · Yinghong, Li · 马荔 · Wang, Guohua · 沈文忠

ChemNanoMat 2024

具体参数

光电流密度提升倍数

{'zh': '2.1', 'en': '2.1'}

稳定时长

{'zh': '10000', 'en': '10000'} s

技术优势

抗光腐蚀

直接Z型构型使GaP中的光生空穴被g-C3N4的光生电子消耗，抑制了GaP自身的氧化腐蚀。

电流翻倍

与纯多孔GaP相比，光电流密度提升至2.1倍，电荷分离效率更高。

超长稳定

在0 V vs RHE下光电流密度可稳定超过10000秒，适合长时间制氢。

应用场景

• 光电化学制氢：用稳定光阳极直接分解水制氢，替代易腐蚀的III-V电极。
• 人工光合成：模拟自然光合作用，将太阳能转化为化学燃料并延长工作寿命。
• 光催化分解水：作为光阳极用于全解水，提高光电流和稳定性。