一类新的电流控制数学模型，可精确预测忆阻元件电压-电流滞后特性中出现的多个夹点位置，为多瓣存储元件的分析提供通用理论框架。
Oresanya, Babajide Oluwatosin · 司刚全 · Xu, Xiang · Jiahui, Gong · Guo, Zhang
International Journal of Circuit Theory and Applications 2023
通过多项式分解，给出了多瓣滞后曲线中所有夹点坐标的显式表达式，无需逐点仿真即可定位。
理论框架对忆阻器、忆感器和忆容器均适用，统一了电流控制型忆阻元件的分析方法。
设计的通用仿真电路输出与数值计算一致，证明理论可直接用于实际电路实现。