NiO-BiVO₄光阳极

中和表面正电荷

通过构建NiO-BiVO₄ p-n结中和表面多余正电荷,克服水氧化动力学瓶颈,不同于传统依赖外加偏压的方法。

Zhang, Yue · Chi, Jiasheng · 马林琳 · 韦之栋 · Wang, Chen · Jiachen, Wang · Junying, Liu · 张毅然 · 江治 · Shangguan, Wenfeng · 黄震

Journal of Physical Chemistry Letters 2026

具体参数

光电流密度
6.48 mA cm⁻²

技术优势

无外偏压也能高效产氧

通过NiO-BiVO₄ p-n结促进电子向光阳极表面迁移,中和多余正电荷,降低水氧化动力学势垒,从而在1.23 VRHE下实现高光电流密度。

稳定V-O键极化率

原位拉曼光谱证明,NiOOH⁺中形成的高价Ni⁴⁺物种稳定了V-O键极化率,这是维持高效水氧化的一个关键因素。

应用场景