半导体Ti4N3Tx MXene

Tufail, Hassan; Kim, Jihyun; Tran, Manh Hung; Iqbal, Aamir; Gao, Zhenguo; Noushad, Hussain; Shabbir Madad, Naqvi; Lee, Sanguck; Kang, Joohoon; Koo, Chongmin

半导体Ti4N3Tx MXene

栅压可调导电

一种具有p型半导体特性的分层MXene，可实现薄膜晶体管所需的栅极可调电导率，并能产生光电流。

Tufail, Hassan · Kim, Jihyun · Tran, Manh Hung · Iqbal, Aamir · Gao Z. · Noushad, Hussain · Shabbir Madad, Naqvi · Lee, Sanguck · Kang, Joohoon · Koo, Chongmin

ACS Nano 2024

具体参数

空穴迁移率: 约0.008 cm² V⁻¹

技术优势

243 K下电流开关比5 × 10³