X切LN薄膜LLSAW谐振器

高频大机电耦合

基于X切铌酸锂薄膜与SiO₂/Ta₂O₅布拉格反射层的纵向漏波声表面波谐振器，兼顾高机电耦合系数与高质量因数。

Wei, Fan · Dahao, Wu · Zijie, Wei · 75534773 · Wang, Yuedong · Zijiang, Yang · 鲍景富 · 帅垚 · Peng, Bing · 吴传贵 · Hashimoto, Ken-ya · 张万里

IEEE Transactions on Electron Devices 2025

具体参数

机电耦合系数
{'zh': '20.4', 'en': '20.4'} %
Bode-Qmax
{'zh': '1219', 'en': '1219'}
导纳比
{'zh': '67', 'en': '67'} dB
插入损耗
{'zh': '1.35', 'en': '1.35'} dB
3 dB带宽
{'zh': '433', 'en': '433'} MHz
n41频段衰减
{'zh': '43', 'en': '43'} dB
频率温度系数
{'zh': '-35.6/-40.2', 'en': '-35.6/-40.2'} ppm/°C
1 dB压缩点
{'zh': '15.2', 'en': '15.2'} dBm

技术优势

高频下保持大耦合

X切LN薄膜结合Bragg反射层有效抑制体波泄漏，实现了3.317 GHz处20.4%的k²t。

低插损宽带响应

滤波器中心频率3.4 GHz，最小插损1.35 dB，3 dB带宽达433 MHz，满足n78频段需求。

高线性度功率处理

P1dB达15.2 dBm，IIP3达52.3 dBm，适用于高线性度中功率射频前端。

应用场景