巯基功能化介孔硅缓冲层

埋底界面缺陷钝化

用巯基功能化介孔二氧化硅超结构同时实现界面缺陷钝化、纳米孔隙消除、锡铅钙钛矿结晶调控与Sn(II)抗氧化，使反式器件开路电压损失显著降低。

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Nature Communications 2025

具体参数

单结电池效率

23.7 %

开路电压

0.89 V

叠层电池效率

29.6 %

叠层电池认证效率

29.5 %

稳态效率

28.7 %

微型组件效率

24.7 %

稳定性保持率

90 %

技术优势

电压损失显著降低

界面超结构同时钝化缺陷、消除纳米孔隙并抑制Sn(II)氧化，从而减少非辐射复合，使单结电池开路电压达到0.89 V。

稳定性大幅提升

封装叠层器件在模拟1太阳光下最大功率点追踪445小时后仍保持90%初始效率，说明界面工程同时增强了运行稳定性。

可扩展至组件

使用该界面层的11.3 cm²微型组件实现了24.7%的效率，表明该策略不局限于小面积电池。

应用场景

• 钙钛矿/硅叠层光伏：用该缓冲层钝化锡铅钙钛矿埋底界面，提升叠层电池电压与效率。
• 锡铅钙钛矿电池：抑制Sn(II)氧化并减少界面复合，直接提升单结电池性能。
• 叠层光伏组件：在11.3 cm²组件上验证了可扩展性，适用于大面积制造。
• 高效率太阳能电池：认证效率29.5%，接近高效率光伏应用的需求。