凹槽漏极GaN HEMT

低压开启高效导通

采用凹槽漏极结构，器件兼具反向阻断能力与高功率品质因数，适用于需要双向电压阻断的功率转换应用。

Liu, Xi · Yutong, Fan · Huang, Ren · Yu, Wen · 张苇杭 · 张金风 · 张进成 · 刘志宏 · 赵胜雷 · 郝跃

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

参数信息

导通电压

0.35 V

亚阈值摆幅

63 mV/dec

正向功率品质因数

526 MW/cm²

反向功率品质因数

538 MW/cm²

技术优势

导通损耗几乎为零

凹槽漏极结构消除势垒，导通电压低至 0.35 V，远低于常规肖特基结的开启电压，减少了整流损耗。

功率优值全球最高

反向功率品质因数达 538 MW/cm²，为所有已报道的具有反向阻断能力的 GaN HEMT 中最高。

应用场景

• 高功率转换：用于逆变器、整流器等双向功率转换电路，凭借高耐压和低损耗提升系统效率。
• GaN功率器件：作为新一代 GaN HEMT 器件，可直接替代传统硅基功率器件，实现更高频率和功率密度。
• 电池管理与集成：用于电池保护电路和充放电管理，利用低漏电流和双向阻断特性防止反向电流损害电池。