准一维α-Bi4Br4纳米带

可控厚度与边缘态

在NbSe2超导基底上外延生长的高质量准一维α-Bi4Br4纳米带，边缘态吸收证据为拓扑量子器件提供理想平台。

Shiqi, Xu · 李永凯 · Zhang, Xu · Chunpan, Zhang · Yina, Dong · Jiangyue, Bai · Haizhen, Gao · Nan, Cheng · Chishumeng, Zhao · Zhao, Liyuan · Han, Jun Feng

Materials Today Physics 2025

具体参数

边缘态光学吸收低于体带隙

{'zh': '约250', 'en': '~250'} meV

技术优势

厚度可控

高结晶度与均匀分布

分子束外延生长