Cd3As2晶体

太赫兹选模控拓扑

通过太赫兹驱动选择性激发非拉曼活性声子模，为精确控制狄拉克半金属性质提供新途径。

Ghalgaoui, Ahmed · 杨帆 · Pilch P. · Taehee, Kang · Runge, Matthias · 岳圣瀛 · Yubi, Chen · Yang, Yunkun · 修发贤 · Sheng, Xianlei · Shengyuan A., Yang · Wang, Zhe

Physical Review B 2025

具体参数

相干声子频率

1.48 THz

技术优势

可选择性激发非拉曼模

利用强太赫兹电场经隧穿电离产生的位移力驱动，能够选择性地激发原本因对称性禁戒而不可达的声子模式。

非微扰机制更高效

实验在光与物质相互作用的非微扰区进行，说明强场激发效率远超传统弱场拉曼过程。

应用场景

• 拓扑材料器件：用太赫兹选模操纵声子，快速调控拓扑器件的电子态。
• 拓扑绝缘体：通过非微扰激发的晶格动力学，调控拓扑绝缘体的表面态。
• 太赫兹光电器件：利用相干声子对太赫兹场的响应，开发新型太赫兹调制器。
• 狄拉克半金属：在狄拉克半金属中实现声子模式的选择激发，直接调控其拓扑性质。
• 自旋电子材料：通过晶格畸变改变自旋-轨道耦合，辅助自旋电子器件的调控。