打开电化学黑盒
多伦多大学PLOS ONE开放仪器:USB供电的恒电位仪,公开PCB、固件、Python界面与装配照片。附原实机视频、完整位号采购核对、10步装配验收和外部KStat/BLE衍生证据。
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PLOS ONE 2015
### 冻结归档版本并逐位号采购
采用论文2015 S1文件,原位号表与合并表逐项比对;100nF按23个位号分21普通+2精密,补P7。C37与C20/C21等料号数值/精度冲突必须确认,不直接当已验证采购。下载的原设计保留CERN OHL1.2和作者署名。
[原论文S1完整设计与图文说明](https://journals.plos.org/plosone/article/file?type=supplementary&id=10.1371/journal.pone.0140349.s007) · [作者文档入口](https://microfluidics.utoronto.ca/gitlab/dstat/dstat-documentation/-/wikis/home)
硬件装配图及说明©Michael D. M. Dryden,CERN OHL1.2;GUI资料随GPLv3+项目。中文整理有改写,核对2026-10-03;本站未制造、刷写或测量。


### 制作主板并准备装配工位
每机一块主板,用同版Gerber与mm单位,核孔径、铜层、阻焊和元件封装。对照原理图与顶底层图做来料检查,ATXMEGA选TQFP64。准备显微镜、焊膏、镊子、返修和清洁用品。
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### 涂焊膏并贴装正面SMT
对每个焊盘适量上膏,细间距IC尽量控制焊膏厚度和桥连。按位号从阻容到IC逐一贴装,芯片圆点与PCB pin1对应;不同值同封装阻容分盒核对,不能仅看外观。
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### 回流、放大检查与返修
按照实际焊膏和器件允许的回流曲线加热冷却;原文soldermask温度描述不能代替焊膏资料。显微检查未熔焊料、偏位、虚焊和相邻脚桥连,烙铁和吸锡带修复后复查。
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### 补焊背面与排针,清洁低漏电区域
补焊背面SMT及PDI/扩展/测试排针。不要把5个电极焊点误当器件型号。按焊剂类型选择清洁方式,清掉残留与纤维,完全干燥;高阻输入节点受污渍和湿气影响显著。
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### 断电查短路并核电源和基准
P8有+5V、+3.3V与实际地,先断电查短路,再通过USB供电量电压和电流。信号虚拟地约1.5V不是实际地,不能随意短接。确认参考和反馈网络装对后才连敏感电极或编程器。
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### 用PDI装固件并初始化EEPROM
原编程器AVRISP mkII,选择ATXMEGA256A3U/PDI,红线对pin1。按原说明分别加载Flash ELF及EEPROM eep,新芯片需初始化;JTAGEN位设置按原芯片定义核对。记录烧录与读回结果,历史Windows驱动不作为关闭系统保护的理由,优先兼容环境。
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### 装原卡扣壳体与五个香蕉插座
打印box/USB_end/banana_end各一,5个Pomona2854-0分别标W、R、C、Rs、Ws。两路shield是主动跟随输出,不能简单并地。按连通性逐根核线,确保壳内绝缘和USB机械位置;原壳体卡扣不需另加螺钉。
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### 建立历史软件环境和串口连接
原Python2.7.9+GTK2 GUI应在隔离历史环境重建,迁移Python3分支另验协议和单位。Refresh找USB端口,Connect后确认版本和OCP显示;保留默认PGA2×及输入buffer,改变PGA时原GUI不一定自动校正数值。
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### 假负载验收并保存完整数据
先接已知电阻网络做低电压功能测试,比较实测I-V与V/R,检查量程饱和、正负号和重复性。空载噪声记录采样率、增益和屏蔽;ADC24位不等于24位有效精度。保存文本/NPY、图、实际BOM和版本,三电极化学实验另配完整电极/试剂协议。顶部原视频是DStat与DropBot联动,DropBot不在本BOM中。
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