抗氢脆提升24%
通过晶粒细化、位错密度降低和残余奥氏体稳定性提升,实现对氢的均匀捕获与扩散抑制,显著改善氢脆抗力。
Liang, Zhuanqin · Hongguang, Li · Wang, Qingchao · Sun, Xiaowen · 高新亮 · Sujuan, Yuan · Yang, Zhinan · 张福成
Journal of Materials Science and Technology 2026
晶粒细化和位错密度降低使氢更容易被均匀捕获,避免在局部富集,从而显著降低氢的有效扩散速率。
通过稳定残余奥氏体,抑制应力诱导相变引起的氢再分布,裂纹扩展路径更曲折,抗氢脆性能显著提高。
相界面密度提高,促进氢的均匀捕获,抑制晶界氢富集,降低沿晶开裂倾向。