暗电流密度低至1.47×10⁻¹³
一种基于新型二维MBene与硅形成的范德华肖特基结光电二极管，具有超高探测率和极低暗电流，可直接用于高分辨率彩色单像素成像。
Lu, Mengxue · Guan, Qingtian · 汪陈 · Yangyang, Sun · Guangzhu, Liu · 许高斌 · 于永强 · 马孟超
Advanced Optical Materials 2023
势垒高度达 1.18 eV，零偏压下暗电流密度仅 1.47 × 10⁻¹³ A cm⁻²，远优于多数已报道的硅基肖特基光电二极管。
零偏压下探测率达到 4.4 × 10¹⁴ Jones，满足高分辨率彩色单像素成像的要求。
无需额外滤波电路，在 25% 采样率下即可获得 256×256 像素的高质量彩色图像。
肖特基势垒高度达 1.18 eV，有利于降低漏电流并提高探测性能。