富硫空位MoS₂薄膜

灵敏度增三倍

通过磁控溅射调控硫空位浓度，在提升载流子浓度的同时，为柔性压阻应变传感提供更高的灵敏度。

庞星 · Zhang Q. · 赵玉龙 · Liang, Xiaoya · Wang, Lukang · Shao, Yiwei

Journal of Materials Science and Technology 2023

参数信息

载流子浓度
6.58 × 10¹⁷ cm⁻³
拉伸应变系数
2.66
压缩应变系数
23.22

技术优势

灵敏度提升数倍

硫空位引入的非饱和电子增加了面内载流子浓度，使应变下导电通道变化引起的电阻变化更显著，从而大幅提高应变系数。

低温即可制备

50 °C的沉积温度即可获得最高硫空位浓度和载流子浓度，有利于在柔性基底上直接生长，简化器件集成。

工艺兼容量产

采用磁控溅射方法生长大面积MoS₂薄膜，工艺成熟，适合批量制造压阻电子器件。

应用场景