15分钟Ra降至5nm
通过电解氧化与剪切增稠协同作用,实现难加工金属的高效超精密抛光。
Zhou, Yafeng · Xinlei, Zhou · Wang, Jiahuan · Guo, Luguang · 邓乾发 · 袁巨龙 · Lyu, Binghai
Journal of Manufacturing Processes 2023
在优化条件下,表面粗糙度Ra从315 nm降至5 nm,材料去除率高达57 μm/h,抛光效率显著。
通过电流密度、占空比、频率、抛光速度等参数的调控,可精确控制抛光效果。
建立了材料去除率的数学模型,理论值与实验值偏差小于12%,可用于工艺优化。