40 nm 高分辨
无需抗蚀剂即可在极紫外光下直接图案化金属有机框架，为MOF集成到微电子提供新途径。
Li, Weina · 马天磊 · Tang, Pengyi · 张惠 · 赵军 · Ameloot, Rob · Tu, Min
Advanced Science 2025
直接利用极紫外光对MOF进行图案化，省去了传统光刻胶涂覆和去除步骤。
实现了40 nm的图案分辨率，满足先进微电子器件的尺寸要求。
通过原位和近常压XPS分析了连接体中的卤素原子在曝光过程中的作用，为设计高效EUV光刻胶提供指导。