CuCl₂掺杂CdTe纳米晶

背接触能带对齐

通过铜卤化物掺杂提高载流子浓度并抑制背接触复合,从而突破溶液法CdTe纳米晶电池的效率瓶颈。

Huang, Qichuan · Liu, Songwei · Chenbo, Min · Zheng, Zhou · 覃东欢 · Dan, Wang · 徐维 · 侯林涛

Journal of Materials Chemistry C 2024

具体参数

光电转换效率
6.3 %
短路电流密度
20.20 mA cm⁻²
开路电压
0.58 V
填充因子
53.74 %