PEALD IGZO薄膜晶体管

低温集成高迁移

通过等离子体增强原子层沉积制备的IGZO晶体管，迁移率超高且阈值电压漂移极小，有望实现高性能单片3D集成。

王文辉 · Zhang, Tao · Lan, Jun · Zhixiong, Li · 吴永乐 · Feng, Xuewei · 林龙扬 · Zhou, Feichi · Panpan, Zhang · 李毅达

Advanced Science 2025

具体参数

场效应迁移率最高

{'zh': '116.35', 'en': ''} cm2 V-1·s-1

阈值电压漂移小于

{'zh': '0.15', 'en': '< 0.15'} V

迁移率变化小于

{'zh': '2', 'en': '< 2'} %

节点环形振荡器频率可

{'zh': '240', 'en': ''} MHz