Tm掺杂SnO

Jing, Han; Hong, Ruohao; Hanzhong, Liu; Niu, Wencheng; Xu, Yin; Tang, Lin; Zhang, Sen; Yu, Song; Meng, You; He, Penghui; Hao, Huang; Tang, Liming; Liu, Xingqiang; Zou, Xuming; Lei, Liao

Tm掺杂SnO

迁移率翻倍

通过掺杂诱导的间隙氧工程，实现高空穴迁移率的p型氧化物半导体，与n型氧化物结合可构筑性能优越的全氧化物互补逻辑电路。

Jing, Han · Hong, Ruohao · Hanzhong, Liu · Niu, Wencheng · Xu, Yin · 汤琳 · Zhang, Sen · Yu, Song · Meng, You · He, Penghui · Hao, Huang · 唐黎明 · 刘兴强 · 邹旭明 · Lei, Liao

Advanced Functional Materials 2025

具体参数

Hall mobility: 3.0 cm²V
场效应空穴迁移率: 12.8 cm²V

技术优势

开关比 > 10⁴

反相器增益接近 800