低电阻率纳米晶银薄膜

电阻率显著低于同类

在实现厚度调控机械强化的同时,保持了极低且稳定的电阻率,突破了传统纳米晶薄膜的导电瓶颈。

Hu, K. · Quan, Qian · Xu, Qiong · Xiaolong, Fang · 李钦 · Ma, Jie

Materials Letters 2025

参数信息

电阻率
2e-8 Ω·m
电子平均自由程
42 nm

技术优势

膜表面而非晶界主导电学性能

应用场景