表面粗糙度3.44nm
一种添加碱性铁氰化钾的抛光液,在剪切增稠抛光过程中同步腐蚀与保护,实现无钴损耗的高效碳化钨精抛。
Ke, Mingfeng · Chaozhi, Wang · Shao, Lanying · Yuyang, Chen · Fenglang, Wang · Dangwei, Li · Liang, Zhao · Wang, Jiahuan · Lyu, Binghai
Surfaces and Interfaces 2026
优化条件下 Sa 只有 3.44 nm,比纯剪切增稠抛光更细,同时材料去除率反而几乎翻倍。
材料去除率达到 149.72 nm/min,几乎是传统剪切增稠抛光的两倍,因为腐蚀与去除循环更连续。
氧化钴生成保护层抑制钴溶出,EDS 证实表面钴含量基本保留,基体硬度得以维持。