三维螺旋磁扰动线圈

抑制逃逸电子生成

在托卡马克中通过激发特定模式的磁扰动增强径向损失并降低逃逸电子抑制的密度阈值，为未来大型装置提供缓解手段。

严伟 · Guinan, Zou · Chen, Zhongyong Yongd · Li, You · Fang, Jiangang · Lin, Zhifang · 江中和 · 王能超 · 饶波 · Li, Yangbo · Ren, Zhengkang · Zhao, Chuanxu · Zhong, Yu · Fanxi, Liu · Yin-Long, Yu · Zi-Sen, Nie · Xun, Zhou · Yuan, Sheng · Yuwei, Sun · Zhou, Song · 张晓青 · 杨州军 · Chen, Zhipeng · 丁永华 · Team, The W7 X.

Plasma Science and Technology 2025

具体参数

磁扰动模式
{'zh': '−2/2', 'en': '−2/2'}

技术优势

降低逃逸电子阈值密度

−2/2模磁扰动在较低电子密度下可将磁涨落提升到相同水平，从而降低逃逸电子抑制所需的阈值密度。

增强径向损失抑制逃逸

−2/2磁扰动驱动等离子体向高场侧运动并增强磁涨落，增强逃逸电子的径向损失，甚至阻止其生成。

缩短破裂冷却时间

−2/2磁扰动可缩短破裂阶段的冷却时间，并产生高能逃逸电子，与高频磁涨落相互作用而抑制逃逸电子生成。

应用场景