光致巨磁阻硅

磁阻提升5个数量级

该研究报道了本征单晶硅中的光激发热载流子输运特性，指出在10 K温度下，光激发热载流子的迁移率和磁阻较热激发载流子分别提高约2-3个和5个数量级，并显示出对磁场超灵敏的霍尔电阻，为开发光驱动低功耗高灵敏器件开辟了新途径。

Li, Zhigang · 王天乐 · Jalil, Varela-Manjarres · Dolui, Kapildeb · 刘彦平 · 方明虎 · 冯尚申 · Nikolić, Branislav K. · Wei, Bingqing

Advanced Optical Materials 2025

具体参数

磁场下磁阻

约6.4×10⁴ %

霍尔场灵敏度

约3.2×10⁷ Ω T⁻¹

技术优势

10 K下，光激发热载流子迁移率约10⁶ cm² V⁻¹ s⁻¹