NAC修饰CdZnTe量子点封装介孔硅

强抗干扰且信号放大10倍

NAC修饰的CdZnTe量子点兼具高抗干扰和优异储存稳定,封装于树枝状介孔硅后作为荧光标签用于适配体传感器可显著提升灵敏度。

刘悦 · 王成全 · Kawtar, Ettayri · 陈雨 · 王坤 · 龙凌亮 · 钱静

Analytical Chemistry 2024

参数信息

信号放大倍数
10.2
检测线性范围下限
1 pg mL-1
检测线性范围上限
200 ng mL-1
检测限
0.41 pg mL-1

技术优势

信号放大 10.2 倍

DMSN@QDs 标签比 SiO2@QDs 标签的荧光适配体传感器信号强约 10.2 倍,大幅提高灵敏度。

抗干扰能力强

NAC 修饰的 CdZnTe 量子点在各种温度、pH 和储存时间下均表现出优异的抗干扰能力和储存稳定性。

检测限低至 0.41 pg/mL

对 AFB1 的检测限低至 0.41 pg/mL(S/N=3),且线性范围宽达 1 pg/mL 至 200 ng/mL。

应用场景