超宽带隙2D半导体AsSbO₃

暗电流低至100 fA

一种具有超宽带隙的二维氧化物半导体，可用于高选择性日盲紫外光电探测器。

Long, Haoran · 刘皓 · Wang, Xiaoyu · Wang, Bowen · Bai, Ruixue · Yu, Yali · Xin, Kaiyao · 刘力源 · Yingqiang, Xu · Zhang, Jing · 姜发纲 · Wang, Xinghua · 魏钟鸣 · 杨珏晗

Advanced Functional Materials 2023

参数信息

暗电流

100 fA

UV-C/UV-A 抑制比

7.6 × 10³

响应度

105 mA W⁻¹

探测率

7.58 × 10¹² Jones

单层带隙

4.997 eV

多层带隙

4.4 eV

技术优势

暗电流低至 100 fA

超宽带隙显著降低了热激发载流子浓度，从而减少暗电流，提高弱光探测能力。

强紫外光谱选择性

UV-C 对 UV-A 的抑制比高达 7.6×10³，能有效排除长波紫外和可见光的干扰。

日盲响应度高

在 239 nm 光照下响应度达 105 mA/W，探测率达 7.58×10¹² Jones，可直接用于微弱紫外信号探测。

应用场景

• 日盲紫外探测器：用于日盲紫外探测，如火焰监测、电晕检测和导弹预警。
• 机器视觉：结合卷积神经网络模拟机器视觉系统，实现日盲紫外实时成像。