蚀刻硅碳负极

抑膨胀保容量

一步氢氟酸蚀刻改善硅颗粒分布与粒径，提升离子电导率并缓解体积膨胀，保持高容量与长循环。

Huai-Min, Wang · 周英 · Luo, Birong · 李德军 · Zhang, Bo

Chemical Engineering Journal 2025

参数信息

次循环后体积膨胀

17.4 %

硅含量

10.4 %

倍率下可逆容量

538.7 mAh·g⁻¹

技术优势

优化复合物离子电导率10⁻⁹ cm²·s⁻¹