SOI横向IGBT

单片集成易

相比体硅LIGBT，SOI-LIGBT更易于与外围电路集成，适用于单片智能功率IC。

Gu, Yong · Ma, Jie · Zhang, Long · Wei, Jiaxing · Li, Sheng · Liu, Siyang · Zhang, Sen · Zhu, Jing · Sun, Weifeng

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

击穿电压

1200 V

技术优势

易单片集成

SOI衬底实现了器件间的介质隔离，省去体硅LIGBT所需的结隔离工艺，可直接与低压CMOS电路单片集成于智能功率IC。

耐压达1200 V

提出的新结构通过优化电场分布等手段，使SOI-LIGBT的击穿电压有望达到1200 V，满足更高电压等级的应用需求。

应用场景

• 智能功率IC：将高压功率开关与低压控制电路集成于单芯片，减小系统体积。
• 功率集成：消除分立器件互连寄生效应，提高功率处理能力和可靠性。
• 高压驱动：直接驱动高压负载，无需外部功率晶体管。
• 电源管理：在电源转换器中实现高效开关，提升功率密度。