高功率微波GaN HEMT

抗微波损伤

针对GaN HEMT在强电磁环境下的机电协同损伤机制进行研究，为提升器件可靠性和防护设计提供依据。

Wang, Lei · 柴常春 · 赵天龙 · Li, Fuxing · Qin, Yingshuo · 杨银堂

Science China Technological Sciences 2023

技术优势

揭示损伤新机制

考虑氮化镓的压电效应，将机械能和电能等效耦合，揭示了高功率微波下器件的机电协同损伤机理。

延长烧毁时间

发现部分电能以弹性能形式存储，导致器件的烧毁时间延长，为可靠性设计提供了新思路。

指导防护设计

分析不同注入电压和频率下弹性能的作用，为提升器件在严苛电磁环境中的可靠性提供设计依据。

应用场景

• 高功率微波防护：用于设计抗高功率微波损伤的GaN HEMT器件结构或防护措施。
• 电磁环境可靠性：为在严苛电磁环境下工作的GaN HEMT提供可靠性分析和提升方法。
• 器件可靠性设计：基于机电协同损伤机理，指导器件可靠性设计以延长烧毁时间。
• 功率器件集成：在高功率微波系统中集成GaN HEMT时，需要依据损伤机理进行防护。