三级阻变多值存储
这种叠层能稳定切换三种电阻状态,为多值存储和神经形态计算提供一个新的器件选择。
Tao, Chen · Tao, Zhang · Yin, Yuanxiang · Yusha, Xie · 邱小燕
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 2023
NiOx(200)/HfO2叠层的高阻/低阻比大于10^4
NiOx(200)/HfO2叠层的保持时间超过10^4秒
HfO2/NiOx(200)/HfO2叠层展现出三级阻变特性