无机共混p型半导体

室温沉积晶圆级薄膜

一种无机共混策略激活了碲硒氧(TeSeO)化合物的空穴传输特性,解决了无机半导体p型行为受限的问题。

Meng, You · Wang, Weijun · Fan, Rong · Lai, Zhengxun · 王伟 · Li, Dengji · Li, Xiaocui · Quan, Quan · Xie, Pengshan · Chen, Dong · 杨哲 · Yip, Senpo · Wong, Chun-Yuen · 陆洋 · Ho, Johnny C.

Nature Communications 2024

具体参数

空穴场效应迁移率
48.5 cm²/
响应度
603 A/W
响应时间
5 μs
Tunable bandgap
2.2 eV