4H-SiC 抛光衬底

高效无损加工

基于电化学剪切增稠抛光技术，通过优化阳极氧化参数，在4H-SiC衬底上实现高效且无损的表面加工。

杭偉 · Mengmeng, Shen · Min, Wei · Lingwei, Wu · Yuheng, Wang · 陈泓谕 · Lyu, Binghai · 赵军

Ceramics International 2025

技术优势

高电压不伤衬底

高电压仅导致氧化层击穿开裂，不会损伤4H-SiC衬底，可以在不牺牲表面完整性的前提下使用更高的阳极氧化电压。

NaNO3电解液最合适

对比不同电解液中形成的氧化层，NaNO3电解液下氧化层的形貌、硬度和成分最有利于ESTP加工，因此推荐用于实际抛光。

应用场景

• 碳化硅衬底加工：提供高效无损的4H-SiC衬底加工方案，可直接用于后续外延或器件制备。
• 功率半导体制造：改善功率器件衬底表面质量，降低缺陷密度，从而提升器件性能和可靠性。
• 超精密抛光：为超精密抛光提供了一种高效的电化学辅助剪切增稠方法，兼顾加工效率与表面质量。