NiP合金等蚀抛光

4分钟亚纳米平滑

各向同性电化学蚀刻实现微结构NiP合金无损伤超精密抛光，解决其高效亚纳米加工的难题。

杨军 · Jingtian, Ye · Guoxing, Liu · Zixin, Ye · Weijie, Cui · 张鑫泉 · 邓辉

Journal of Manufacturing Processes 2024

参数信息

表面粗糙度 (Sa)
0.065 nm
微结构表面粗糙度
0.1 nm
抛光时长
4 min
最优电解液配比
5:100

技术优势

无损伤抛光

IEP利用电化学蚀刻坑的融合实现材料去除，无机械接触，因此不会引入划痕、亚表面损伤或加工应力，适合高精度光学表面。

几分钟达亚纳米

仅抛光4分钟，表面粗糙度Sa即降至0.065 nm，效率远超传统抛光方法。

微结构保形

对光栅微结构和菲涅尔透镜抛光后，表面粗糙度低于0.1 nm且形状保持，证明IEP可处理复杂三维微结构而不会破坏其特征。

应用场景