单晶h-BN忆阻器

26 mV开关 10⁸开关比

通过导电枝晶工程，在单晶二维介电材料中实现垂直导电通道限制，同时获得超低开关电压与长保持时间，突破功耗-保持矛盾。

Yu, Kang · Xingyu, Zhai · 阳泉 · Boshi, Qiao · Zheng, Bian · Haohan, Chen · Hu, Huan · 徐阳 · Ming, Tian · Neng, Wan · Wenchao, Chen · Chai, Yang · Zhao, Yuda · 俞彬

Innovation (China) 2025

具体参数

设置电压

{'zh': '26', 'en': '135'} mV

待机功耗

{'zh': '72', 'en': '72'} pJ

Operating voltage

{'zh': '', 'en': '<120'} mV

技术优势

开关比10⁸